Во время конференции Foundry Direct 2025 компания Intel представила стратегию использования литографии High-NA EUV в рамках будущего техпроцесса 14A. Хотя компания активно продвигает внедрение этой технологии, окончательное решение о её применении в серийном производстве пока не принято. Вместо этого Intel разработала резервный план, предусматривающий использование стандартной литографии Low-NA EUV для техпроцесса 14A. По словам представителей компании, оба варианта не потребуют модификации дизайнов чипов со стороны заказчиков.
При этом второй экземпляр установки High-NA EUV — ASML Twinscan NXE:5000 стоимостью около $400 млн — уже установлен на заводе Intel в штате Орегон, но пока не используется в производственной среде из-за продолжающейся стадии разработки. По этой причине компания воздерживается от преждевременного внедрения, минимизируя технологические риски. Исполнительный вице-президент Intel, технический директор по операциям и руководитель подразделения Foundry Technology and Manufacturing доктор Нага Чандрасекаран (Naga Chandrasekaran) подчеркнул, что производственные параметры High-NA соответствуют ожиданиям, и компания внедрит эту технологию тогда, когда сочтёт это целесообразным.
Доктор Чандрасекаран сообщил, что у Intel уже имеются данные по техпроцессам 14A и 18A, демонстрирующие паритет по выходной годности между решениями на базе Low-NA EUV и High-NA EUV. По его словам, компания продолжает техническое совершенствование обоих направлений и обеспечивает наличие альтернативных маршрутов, чтобы выбранное решение минимизировало риски для клиентов и обеспечивало наилучший результат с точки зрения стратегических задач.
Компания планирует использовать High-NA EUV лишь для ограниченного числа слоёв в рамках техпроцесса 14A, а их точное количество не раскрывается. Для остальных уровней будут применяться другие литографические установки, включая Low-NA EUV. По утверждению Intel, использование тройной экспозиции с Low-NA вместо High-NA обеспечивает сопоставимый результат, при этом оба маршрута совместимы по правилам проектирования. Благодаря этому заказчикам не придётся вносить изменения в свои схемы, независимо от выбранной производственной стратегии.
По данным компании, паритет выходной годности между двумя подходами достигнут благодаря достижениям в современных технологиях многократной экспозиции, особенно в области наложения слоёв. На стадии разработки с использованием High-NA было произведено около 30 000 кремниевых пластин. Для достижения необходимой плотности рисунка с использованием Low-NA требуется три последовательные экспозиции и до 40 стадий обработки, в то время как High-NA обеспечивает нужный шаг за одну экспозицию. Таким образом, маршрут с High-NA становится короче и проще. Это также открывает возможность снизить плотность металлических слоёв, что может дать прирост производительности.
Intel не уточнила, основаны ли её сравнительные оценки на результатах экспонирования кристаллов размером с полный ретикул (фотошаблон, который используется в проекционной литографии для формирования изображения микросхемы на поверхности кремниевой пластины). Установки High-NA EUV в текущей конфигурации способны экспонировать только половину ретикула за один проход, поэтому для формирования процессора размером с весь ретикул требуются два прохода с последующим точным совмещением изображений. В тех случаях, когда площадь кристалла не превышает половину ретикула, High-NA позволяет выполнить экспозицию за один проход без необходимости совмещения. В отличие от этого, установки Low-NA EUV способны экспонировать кристалл размером с полный ретикул за один проход.